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FDC636PS62Z

更新时间： 2024-02-15 10:59:46

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	204K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC636PS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	2.8 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDC636PS62Z 数据手册

May 1998

FDC636P

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-2.8 A, -20 V. R_DS(ON)= 0.130 W @ V_GS= -4.5 V

R_DS(ON)= 0.180 W @ V_GS= -2.5 V.

These P-Channel logic level enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance. These devices are particularly suited

for low voltage applications such as cellular phone and

notebook computer power management and other battery

powered circuits where high-side switching, and low in-line

power loss are needed in a very small outline surface

mount package.

SuperSOT^TM-6 package design using copper lead frame for

superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-8

SOT-223

SOIC-16

SO-8

SOT-23

SuperSOT^TM-6

Absolute Maximum RatingsT_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

FDC636P

Units

Drain-Source Voltage

-20

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±8

-2.8

(Note 1a)

-11

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

P_D

0.8

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

FDC636P Rev.B

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FDC637AN_NF073	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC637AN_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC637AND84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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