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FDC6392S_NL

更新时间： 2024-01-10 03:00:10
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 188K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6392S_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.38配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.2 A
最大漏极电流 (ID)：2.2 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.96 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC6392S_NL 数据手册

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April 2002  
FDC6392S  
20V Integrated P-Channel PowerTrenchMOSFET and Schottky Diode  
General Description  
Features  
MOSFET:  
The FDC6392S combines the exceptional performance  
of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a  
very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier  
in an SSOT-6 package.  
• –2.2 A, –20V. RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = –4.5V  
RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = –2.5V  
• Low Gate Charge (3.7nC typ)  
• Compact industry standard SuperSOT-6 package  
Schottky:  
This device is designed specifically as a single package  
solution for DC to DC converters. It features a fast  
switching, low gate charge MOSFET with very low on-  
state resistance.  
The independently connected  
Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC  
converter topologies.  
• V < 0.45 V @ 1 A  
F
1
2
3
6
5
4
Pin 1  
SuperSOT™-6  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
MOSFET Drain-Source Voltage  
MOSFET Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
–20  
V
V
A
12  
–2.2  
–6  
(Note 1a)  
PD  
W
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.96  
0.9  
0.7  
TJ, TSTG  
VRRM  
IO  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage  
–55 to +150  
°C  
V
A
20  
1
Schottky Average Forward Current  
(Note 1a)  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
130  
60  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.392  
FDC6392S  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC6392S Rev C(W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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与FDC6392S_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC6392SS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6401N FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC6401N ONSEMI

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 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，3.0A，7
FDC6401N_NBHS003 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDC6401N_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC6401ND84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC6401NL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC6401NS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC640P FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC640P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，5

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