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FDC642P_NF073

更新时间： 2024-09-30 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 122K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SUPERSOT-6

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FDC642P_NF073 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.44
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC642P_NF073 数据手册

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July 1999  
FDC642P  
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced  
using Fairchild's advanced PowerTrench process that  
has been especially tailored to minimize on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
• -4 A, -20 V. RDS(ON) = 0.065 Ω @ VGS = -4.5 V  
RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = -2.5 V  
• Fast switching speed.  
• Low gate charge (7.2nC typical).  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in a very small footprint for  
applications where the larger packages are impractical.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
• SuperSOTTM-6 package: small footprint (72% smaller  
Applications  
•
Load switch  
than standard SO-8); low profile (1mm thick).  
• Battery protection  
• Power management  
S
1
6
5
4
D
D
2
3
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-20  
V
V
A
±8  
Drain Current - Continuous  
Drain Current - Pulsed  
(Note 1)  
-4  
-20  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
0.8  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
.642  
FDC642P  
7’’  
8mm  
3000 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC642P, Rev. B  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC642P_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
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