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FDC653N_NB3E005A

更新时间： 2024-11-25 15:32:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	78K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SUPERSOT-6

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FDC653N_NB3E005A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	LEAD FREE, SUPERSOT-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC653N_NB3E005A 数据手册

November 1997

FDC653N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

5 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.035 W @ V_GS= 10 V

This N-Channel enhancement mode power field effect

transistors is produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

tailored to minimize on-state resistance. These devices are

particularly suited for low voltage applications in notebook

computers, portable phones, PCMICA cards, and other

battery powered circuits where fast switching, and low in-line

power loss are needed in a very small outline surface mount

package.

R_DS(ON)= 0.055 W @ V_GS= 4.5 V.

Proprietary SuperSOT^TM-6 package design using copper

lead frame for superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-223

SO-8

SOT-23

SuperSOT^TM-6

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise note

Symbol Parameter

FDC653N

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

(Note 1a)

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

P_D

0.8

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

FDC653N Rev.C

12 3 4 5

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