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FDC6561AN

更新时间： 2024-09-28 11:14:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 271K
描述
双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30V，2.5A，95mΩ

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FDC6561AN 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：0.97
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A
最大漏极电流 (ID)：2.5 A最大漏源导通电阻：0.095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.96 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC6561AN 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
Logic Level, POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
30 V  
0.095 W @ 10 V  
0.145 W @ 4.5 V  
2.5 A  
FDC6561AN  
General Description  
These N−Channel Logic Level MOSFETs are produced using  
onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been  
especially tailored to minimize the on−state resistance and yet  
maintain low gate charge for superior switching performance. These  
devices are well suited for all applications where small size is  
desireable but especially low cost DC/DC conversion in battery  
powered systems.  
D2  
S1  
D1  
G2  
S2  
G1  
Pin 1  
TSOT23 6−Lead  
(SUPERSOT−6)  
CASE 419BL  
Features  
• 2.5 A, 30 V  
MARKING DIAGRAM  
♦ R  
♦ R  
= 0.095 W @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
= 0.145 W @ V = 4.5 V  
DS(ON)  
GS  
• Very Fast Switching. Low Gate Charge (2.1 nC Typical)  
• SUPERSOTt−6 Package: Small Footprint (72% Smaller than  
Standard SO−8); Low Profile (1 mm Thick)  
561 M  
1
561 = Device Code  
• This is a Pb−Free Device  
M
= Date Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
Unit  
V
PIN ASSIGNMENT  
V
DSS  
V
GSS  
30  
20  
Gate−Source Voltage  
Drain Current  
− Continuous  
− Continuous  
− Pulsed  
V
4
5
6
3
2
1
I
D
2.5  
A
10  
P
D
Maximum Power  
Dissipation  
(Note 1a)  
0.96  
0.9  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.7  
T , T  
Operating and Storage Temperature  
Range  
−55 to 150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
FDC6561AN  
TSOT23 6−Lead  
(SUPERSOT−6)  
3000 / Tape  
& Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
July, 2022 − Rev. 4  
FDC6561AN/D  
123456

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FDC6561AN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDC6305N ONSEMI

类似代替

 双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，2.7A，8

与FDC6561AN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC6561AND87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC658AP FAIRCHILD

获取价格

 		Single P-Channel Logic Level PowerTrench? MOSFET -30V, -4A, 50mOhm
FDC658AP ONSEMI

获取价格

 		单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4A，50mΩ
FDC658AP (KDC658AP) KEXIN

获取价格

 		P-Channel MOSFET
FDC658AP-F095 FAIRCHILD

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 		Transistor
FDC658P FAIRCHILD

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 		Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDC658P ONSEMI

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 		单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4A，50mΩ
FDC658P-NB4E009A FAIRCHILD

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