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FDC658P

更新时间： 2023-09-03 20:35:14
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 266K
描述
单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4A，50mΩ

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FDC658P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：0.95其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC658P 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Single,  
P-Channel, Logic Level,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
−30 V  
0.05 W @ −10 V  
−4 A  
0.075 W @ −4.5 V  
FDC658P  
S
D
D
General Description  
This P−Channel Logic Level MOSFET is produced using onsemi’s  
advanced POWERTRENCH process that has been especially tailored  
to minimize the on−state resistance and yet maintain low gate charge  
for superior switching performance. These devices are well suited for  
notebook computer applications: load switching and power  
management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.  
G
D
Pin 1  
D
TSOT23 6−Lead  
(SUPERSOT−6)  
CASE 419BL  
Features  
• −4 A, −30 V  
MARKING DIAGRAM  
♦ R  
♦ R  
= 0.050 W @ V = −10 V  
GS  
DS(ON)  
= 0.075 W @ V = −4.5 V  
DS(ON)  
GS  
658 M  
• Low Gate Charge (8 nC Typical)  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
DS(ON)  
1
• SUPERSOTt−6 Package: Small Footprint (72% Smaller than  
Standard SO−8); Low Profile (1 mm Thick)  
• This is a Pb−Free Device  
658 = Specific Device Code  
M
= Date Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
PIN ASSIGNMENT  
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Value  
−30  
Unit  
V
V
DSS  
GSS  
1
2
3
6
5
4
V
Gate−Source Voltage − Continuous  
Drain Current − Continuous (Note 1a)  
− Pulsed  
20  
V
I
D
−4  
A
−20  
P
D
Maximum Power Dissipation (Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
0.8  
T , T  
Operating and Storage Temperature  
Range  
−55 to 150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Shipping  
3000 / Tape & Reel  
Package  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
TSOT23−6  
(Pb−Free)  
Symbol  
Parameter  
Max  
Unit  
FDC658P  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient (Note 1a)  
78  
°C/W  
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case (Note 1)  
30  
°C/W  
q
JA  
1. R  
is the sum of the junction−to−case and case−to−ambient thermal  
q
JA  
resistance where the case thermal reference is defined as the solder  
mounting surface of the drain pins. R is guaranteed by design while R  
q
q
CA  
JC  
is determined by the user’s board design.  
2
a. 78°C/W when mounted on a 1 in pad of 2 oz Cu on FR−4 board.  
b. 156°C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz Cu on FR−4 board.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
June, 2022 − Rev. 4  
FDC658P/D  
 
123456

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