5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC796N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FDC796N-F077 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FDC796N-G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| FDC855N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench㈢ M |
|
| FDC855N | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30V，6.1A，27 mΩ |
|
| FDC8601 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET |
|
| FDC8601 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET，100 V，2.7 A，109 |
|
| FDC8602 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 1. |
|
| FDC8602 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，100 V，1.2 A，35 |
|
| FDC86244 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 2.3 A, |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
