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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 0.96 | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.144 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JEDEC-95代码： | MO-193AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC86244 (KDC86244) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| FDC87W21 | SMSC |
获取价格 |
Multifunction Peripheral, CMOS, PQFP100, QFP-100 |
|
| FDC87W22 | SMSC |
获取价格 |
Multifunction Peripheral, CMOS, PQFP100, QFP-100 |
|
| FDC87W23 | ETC |
获取价格 |
Peripheral (Multifunction) Controller |
|
| FDC8878 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 8.0 A, 1 |
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| FDC8878 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET，30 V，8.0 A，16 mΩ |
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| FDC8884 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 6.5 A, |
|
| FDC8884 | ONSEMI |
获取价格 |
30V N沟道PowerTrench® MOSFET |
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| FDC8886 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 6.5 A, |
|
| FDC8886 | ONSEMI |
获取价格 |
30V N沟道PowerTrench® MOSFET |
|
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