是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.36 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 6.1 A | 最大漏源导通电阻: | 0.027 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 95 pF |
JEDEC-95代码: | MO-193AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI5440DC-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 ![]() |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDC8601 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET |
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FDC8601 | ONSEMI |
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N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET,100 V,2.7 A,109 |
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FDC8602 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 1. |
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FDC8602 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET,100 V,1.2 A,35 |
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FDC86244 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 2.3 A, |
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FDC86244 | ONSEMI |
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N 沟道,屏蔽门极,Power Trench® MOSFET,150 V,2.3 A,14 |
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FDC86244 | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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FDC86244 (KDC86244) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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FDC87W21 | SMSC |
获取价格 |
Multifunction Peripheral, CMOS, PQFP100, QFP-100 |
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FDC87W22 | SMSC |
获取价格 |
Multifunction Peripheral, CMOS, PQFP100, QFP-100 |
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