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FDC8602

更新时间： 2024-01-02 05:14:41
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 257K
描述
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 1.2 A, 350 mΩ

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FDC8602 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
Samacsys Description：FDC8602 Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.2 A最大漏极电流 (ID)：1.2 A
最大漏源导通电阻：0.35 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：MO-193AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.96 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC8602 数据手册

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July 2011  
FDC8602  
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET  
100 V, 1.2 A, 350 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 350 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.2 A  
„ Max rDS(on) = 575 mΩ at VGS = 6 V, ID = 0.9 A  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has  
been optimized for rDS(on), switching performance and  
ruggedness.  
„ High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package  
„ Fast switching speed  
„ 100% UIL Tested  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ Load Switch  
„ Synchronous Rectifier  
D2  
S1  
D1  
G2  
S2  
Pin 1  
SuperSOTTM -6  
G1  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
100  
Units  
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
±20  
V
(Note 1a)  
1.2  
A
ID  
5
A
EAS  
PD  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.5  
mJ  
0.96  
W
Power Dissipation  
0.69  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
60  
°C/W  
(Note 1a)  
130  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7 ’’  
Tape Width  
Quantity  
.862  
FDC8602  
SSOT-6  
8 mm  
3000 units  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC8602 Rev.C  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567

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