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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP40,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.86 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T40 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 40 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP40,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Secondary Storage Controllers |
| 最大压摆率： | 150 mA | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC796N | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDC796N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDC796N-F077 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDC796N-G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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| FDC855N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench㈢ M |
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| FDC855N | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30V，6.1A，27 mΩ |
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| FDC8601 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET |
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| FDC8601 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET，100 V，2.7 A，109 |
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| FDC8602 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 1. |
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| FDC8602 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，100 V，1.2 A，35 |
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