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FDC6561

更新时间： 2024-02-10 11:15:41
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 258K
描述
Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

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FDC6561 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.46
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A
最大漏极电流 (ID)：2.5 A最大漏源导通电阻：0.095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.96 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDC6561 数据手册

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April 1999  
FDC6561AN  
Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel  
Logic  
Level MOSFETs are  
2.5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.095 W @ VGS = 10 V  
produced using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
low gate charge for superior switching performance.  
RDS(ON) = 0.145 W @ VGS = 4.5 V  
Very fast switching.  
Low gate charge (2.1nC typical).  
These devices are well suited for all applications where  
small size is desireable but especially low cost DC/DC  
conversion in battery powered systems.  
SuperSOTTM-6 package: small footprint (72% smaller than  
standard SO-8); low profile (1mm thick).  
SuperSOTTM-6  
SOT-223  
SO-8  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
D2  
4
5
S1  
3
2
1
D1  
G2  
S2  
pin 1  
G1  
SuperSOTTM-6  
6
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TA = 25°C unless otherwise note  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
V
Gate-Source Voltage - Continuous  
±20  
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
2.5  
10  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.96  
W
0.9  
(Note 1c)  
0.7  
TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
130  
60  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
© 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC6561AN Rev.C  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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