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FDC658AP (KDC658AP)

更新时间： 2024-09-29 18:10:03

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P-Channel MOSFET

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SMD Type

MOSFET

P-Channel MOSFET

FDC658AP (KDC658AP)

(

)

Unit: mm

SOT-23-6

+0.1

-0.1

0.4

■ Features

● VDS (V) =-30V

● ID =-4 A (VGS =-10V)

● R^DS(ON)＜ 50mΩ (VGS =-10V)

● R^DS(ON)＜ 75mΩ (VGS =-4.5V)

● Low Gate Charge

+0.02

-0.02

0.15

+0.01

-0.01

+0.2

-0.1

1.Drain 4.Source

2.Drain 5.Drain

3.Gate 6.Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

-30

±25

-4

Unit

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

(Note.1)

-20

1.6

(Note.1)

Power Dissipation

0.8

(Note.2)

(Note.1)

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction Temperature

thJA

thJC

℃/W

℃

150

Junction Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

Note.1: 78℃/W when mounted on a 1 in²pad of 2 oz copper

Note.2: 156℃/W whe mounted on a minimum pad of 2 oz copper

www.kexin.com.cn

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