生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.37 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 2.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.095 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDC658AP | FAIRCHILD |
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Single P-Channel Logic Level PowerTrench? MOSFET -30V, -4A, 50mOhm | |
FDC658AP | ONSEMI |
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单 P 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,-30V,-4A,50mΩ | |
FDC658AP (KDC658AP) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET | |
FDC658AP-F095 | FAIRCHILD |
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Transistor | |
FDC658P | FAIRCHILD |
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Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET | |
FDC658P | ONSEMI |
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单 P 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,-30V,-4A,50mΩ | |
FDC658P-NB4E009A | FAIRCHILD |
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Transistor | |
FDC658P-NB4E011 | FAIRCHILD |
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Transistor | |
FDC658P-NB4E012 | FAIRCHILD |
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Transistor | |
FDC6901L | FAIRCHILD |
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Integrated Load Switch |