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FDC658AP-F095

更新时间： 2024-09-27 19:56:39

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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5页	279K
描述
Transistor

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FDC658AP-F095 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

FDC658AP-F095 数据手册

January 2006

FDC658AP

Single P-Channel Logic Level PowerTrench^®MOSFET

-30V, -4A, 50mΩ

General Description

Features

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using

Fairchild's advanced PowerTrench process. It has been

optimized for battery power management applications.

Max r_DS(on)= 50 mΩ @ V_GS= -10 V, I_D= -4A

Max r_DS(on)= 75 mΩ @ V_GS= -4.5 V, I_D= -3.4A

Low Gate Charge

Applications

High performance trench technology for extremely low

r_DS(on)

Battery management

Load switch

RoHS Compliant

Battery protection

DC/DC conversion

PIN 1

SuperSOT -6

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Ratings

-30

±25

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

-4

(Note 1a)

I_D

-20

- Pulsed

Maximum Power dissipation

1.6

(Note 1a)

(Note 1b)

P_D

0.8

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_θJA

R_θJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

3000 units

.58A

FDC658AP

7inch

8mm

FDC658AP Rev. B (W)

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FDC658P	ONSEMI	获取价格	单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4A，50mΩ
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