Datasheet > FDC653N_NF073

FDC653N_NF073

更新时间： 2024-11-25 14:50:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	78K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SUPERSOT-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDC653N_NF073 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.45
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDC653N_NF073 数据手册

November 1997

FDC653N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

5 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.035 W @ V_GS= 10 V

This N-Channel enhancement mode power field effect

transistors is produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

tailored to minimize on-state resistance. These devices are

particularly suited for low voltage applications in notebook

computers, portable phones, PCMICA cards, and other

battery powered circuits where fast switching, and low in-line

power loss are needed in a very small outline surface mount

package.

R_DS(ON)= 0.055 W @ V_GS= 4.5 V.

Proprietary SuperSOT^TM-6 package design using copper

lead frame for superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-223

SO-8

SOT-23

SuperSOT^TM-6

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise note

Symbol Parameter

FDC653N

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

(Note 1a)

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

P_D

0.8

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

FDC653N Rev.C

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与FDC653N_NF073相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC653N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC653ND87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC654P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC654P	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，-30V，-3.6A，75mΩ
FDC654P_NF073	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDC654P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC654PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC654P-NBGT006	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDC655AN	FAIRCHILD	获取价格	Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDC655AN_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与FDC653N_NF073相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

41
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

57

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDC653N_NF073

FDC653N_NF073 技术参数

FDC653N_NF073 数据手册

与FDC653N_NF073相关器件

与FDC653N_NF073相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDC653N_NF073

FDC653N_NF073 技术参数

FDC653N_NF073 数据手册

与FDC653N_NF073相关器件

与FDC653N_NF073相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？