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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.25 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC654P-NBGT006 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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| FDC655AN | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDC655AN_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDC655AND84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDC655AND87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDC655ANL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDC655ANS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDC655BN | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
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| FDC655BN | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30 V，6.3 A，25 m |
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| FDC655BN_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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