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FDC654P_NL PDF预览

FDC654P_NL

更新时间： 2024-10-02 17:49:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 111K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SUPERSOT-6

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FDC654P_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.6 A最大漏极电流 (ID)：3.6 A
最大漏源导通电阻：0.075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC654P_NL 数据手册

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May 2003  
FDC654P  
Single P-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced  
using Fairchild’s advanced PowerTrench process. It  
has been optimized for battery power management  
applications.  
·
–3.6 A, –30 V. RDS(ON) = 75 mW @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4.5 V  
·
·
Low gate charge (6.2 nC typical)  
Applications  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
·
·
Battery management  
Load switch  
Battery protection  
S
D
1
2
3
6
5
4
D
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
±20  
–3.6  
(Note 1a)  
–10  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
0.8  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.654  
FDC654P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC654P Rev E1 (W)  
Ó2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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与FDC654P_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC654PD87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC654P-NBGT006 FAIRCHILD

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 		Transistor
FDC655AN FAIRCHILD

获取价格

 		Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDC655AN_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC655AND84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC655AND87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC655ANS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC655BN FAIRCHILD

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 		Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDC655BN ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30 V，6.3 A，25 m

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