是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.44 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A | 最大漏极电流 (ID): | 4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 145 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.8 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDC642P-F085 | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-4A,100mΩ |
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FDC642P-F085P | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-4A,100mΩ |
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FDC642P-F095 | FAIRCHILD |
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Transistor |
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FDC6432SH | FAIRCHILD |
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12V P-Channel PowerTrench MOSFET, 30V PowerTrench SyncFET |
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FDC645 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDC645N | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDC645N | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,5.5A,26 mΩ |
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FDC645N_01 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDC645N_NL | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0055A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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FDC645N-F095 | FAIRCHILD |
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Transistor |
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