5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDC6506P
FDC6506P PDF预览

FDC6506P

更新时间： 2024-11-24 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 205K
描述
Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDC6506P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.8 A
最大漏极电流 (ID)：1.8 A最大漏源导通电阻：0.17 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.96 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC6506P 数据手册

 浏览型号FDC6506P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDC6506P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDC6506P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDC6506P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDC6506P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDC6506P的Datasheet PDF文件第7页 
February 1999  
FDC6506P  
Dual P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
These P-Channel logic level MOSFETs are produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
• -1.8 A, -30 V. RDS(on) = 0.170 Ω @ VGS = -10 V  
RDS(on) = 0.280 Ω @ VGS = -4.5 V  
• Low gate charge (2.3nC typical).  
• Fast switching speed.  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in a very small footprint for applications  
where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8  
packages are impractical.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
• SuperSOTTM-6 package: small footprint (72% smaller  
than standard SO-8); low profile (1mm thick).  
Applications  
• Load switch  
• Battery protection  
• Power management  
D2  
S1  
3
2
1
4
5
6
D1  
G2  
S2  
SuperSOT TM-6  
G1  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-30  
V
V
A
20  
±
(Note 1a)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-1.8  
-10  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
0.96  
0.9  
W
(Note 1c)  
0.7  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
130  
60  
C/W  
C/W  
JA  
°
°
JC  
θ
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
506  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
3000 units  
FDC6506P  
7’’  
8mm  
.
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC6506P Rev. C  
12345678

中文翻译

下载PDF

FDC6506P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDC6306P FAIRCHILD

类似代替

 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MO
ZXM62P03E6TA DIODES

功能相似

 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62P03E6TC DIODES

功能相似

 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

与FDC6506P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC6506P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6506P-NB4S006A FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FDC6506P-NB4S006A ONSEMI

获取价格

 		双 P 沟道 PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，-30V，-1.8A，17
FDC6506PTR FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC653 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC653N FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC653N ONSEMI

获取价格

 		N 沟道增强型场效应晶体管，30V，5A，35mΩ
FDC653N_NB3E005A FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC653N_NF073 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC653N_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o

与FDC6506P相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证