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FDC6306P PDF预览

FDC6306P

更新时间： 2024-11-04 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 236K
描述
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET

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February 1999  
FDC6306P  
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced  
using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
• -1.9 A, -20 V. RDS(on) = 0.170 Ω @ VGS = -4.5 V  
RDS(on) = 0.250Ω @ VGS = -2.5 V  
• Low gate charge (3 nC typical).  
• Fast switching speed.  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in a very small footprint for applications  
where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8  
packages are impractical.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
TM  
• SuperSOT -6 package: small footprint (72% smaller  
than standard SO-8); low profile (1mm thick).  
Applications  
• Load switch  
• Battery protection  
• Power management  
D2  
S1  
3
2
1
4
5
6
D1  
G2  
S2  
SuperSOTTM-6  
G1  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-20  
V
V
A
8
±
(Note 1a)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-1.9  
-5  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
0.96  
0.9  
W
(Note 1c)  
0.7  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
130  
60  
C/W  
C/W  
JA  
°
°
JC  
θ
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
306  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
3000 units  
FDC6306P  
7’’  
8mm  
.
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC6306P Rev. C  
12345678

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