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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDC6308P
FDC6308P PDF预览

FDC6308P

更新时间： 2024-10-01 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 325K
描述
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET

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FDC6308P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC6308P 数据手册

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July 1999  
FDC6308P  
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET  
Features  
General Description  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged  
gate version of Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process. It has been optimized for power  
management applications with a wide range of gate  
drive voltage (2.5V - 12V).  
• -1.7 A, -18 V. RDS(ON) = 0.18 Ω @ VGS = -4.5 V  
RDS(ON) = 0.30 Ω @ VGS = -2.5 V  
• Extended VGSS range (±12V) for battery applications.  
• Low gate charge (3nC typical).  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in a very small footprint for applications  
where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8  
packages are impractical.  
• Fast switching speed.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• SuperSOTTM-6 package: small footprint (72% smaller  
• Load switch  
• Battery protection  
• Power management  
than standard SO-8); low profile (1mm thick).  
D2  
S1  
3
2
1
4
5
6
D1  
G2  
S2  
SuperSOTTM -6  
G1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-20  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
±12  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
-1.7  
-5  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.96  
0.9  
W
(Note 1c)  
0.7  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
130  
60  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDC6308P  
7’’  
8mm  
3000 units  
.308  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC6308P Rev. C  
12345678

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FDC6308P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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