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FDC6321C_NL

更新时间： 2024-11-09 20:10:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 125K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6321C_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (ID)：0.00068 A最大漏源导通电阻：0.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：9 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.9 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC6321C_NL 数据手册

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April 1999  
FDC6321C  
Dual N & P Channel , Digital FET  
General Description  
Features  
These dual N & P Channel logic level enhancement mode  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance. This device has been designed  
especially for low voltage applications as a replacement for  
digital transistors in load switching applications. Since bias  
resistors are not required this dual digital FET can replace  
several digital transistors with different bias resistors.  
N-Ch 25 V, 0.68 A, RDS(ON) = 0.45 W @ VGS= 4.5 V  
P-Ch -25 V, -0.46 A, RDS(ON) = 1.1 W @ VGS= -4.5 V.  
Very low level gate drive requirements allowing direct  
operation in 3 V circuits. VGS(th) < 1.0V.  
Gate-Source Zener for ESD ruggedness.  
>6kV Human Body Model  
Replace multiple dual NPN & PNP digital transistors.  
SuperSOTTM-6  
Mark:.321  
SuperSOTTM-8  
SOT-23  
SOIC-16  
SO-8  
SOT-223  
D2  
S1  
4
3
2
1
D1  
5
6
G2  
S2  
SuperSOT TM-6  
G1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol  
Parameter  
N-Channel  
P-Channel  
-25  
Units  
V
VDSS, VCC Drain-Source Voltage, Power Supply Voltage  
VGSS, VIN Gate-Source Voltage,  
25  
8
-8  
V
ID, IO  
Drain/Output Current  
- Continuous  
- Pulsed  
0.68  
2
-0.46  
-1.5  
A
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.9  
W
0.7  
-55 to 150  
6
TJ,TSTG  
ESD  
Operating and Storage Tempature Ranger  
°C  
kV  
Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D  
Human Body Model (100pf / 1500 Ohm)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
140  
60  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
© 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC6321C.RevB  
12345678

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FDC6321C_NL 替代型号

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