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FDC6310P PDF预览

FDC6310P

更新时间： 2024-11-10 11:13:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 275K
描述
双 P 沟道 PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-2.2A，125mΩ

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FDC6310P 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.96
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：438546Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：TSOT23Samacsys Released Date：2018-08-20 16:21:57
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：2.2 A
最大漏源导通电阻：0.125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.96 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC6310P 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, P-Channel,  
2.5 V Specified,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
−20 V  
125 mW @ −4.5 V  
190 mW @ −2.5 V  
−2.2 A  
-20 V, -2.2 A, 125 mW  
D2  
S1  
D1  
FDC6310P  
G2  
S2  
General Description  
G1  
These P−Channel 2.5 V specified MOSFETs are produced using  
onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been  
especially tailored to minimize on−state resistance and yet maintain  
low gate charge for superior switching performance.  
TSOT23 6−Lead  
SUPERSOT−6  
CASE 419BL  
These devices have been designed to offer exceptional power  
dissipation in a very small footprint for applications where the bigger  
more expensive SO−8 and TSSOP−8 packages are impractical.  
MARKING DIAGRAM  
Features  
310 M  
• –2.2 A, –20 V  
1
♦ R  
♦ R  
= 125 mW @ V = –4.5 V  
GS  
DS(ON)  
310 = Specific Device Code  
= 190 mW @ V = –2.5 V  
DS(ON)  
GS  
M
= Date Code  
• Low Gate Charge  
• Fast Switching Speed  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
DS(ON)  
PIN CONNECTIONS  
• SUPERSOTt−6 Package: Small Footprint 72% Smaller than  
Standard SO−8); Low Profile (1 mm Thick)  
4
3
2
1
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
5
6
Applications  
• Load Switch  
• Battery Protection  
• Power Management  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
−20  
Unit  
V
V
DSS  
GSS  
V
Gate−Source Voltage  
12  
V
I
D
Drain Current  
− Continuous (Note 1a)  
− Pulsed  
A
−2.2  
−6  
P
D
Power Dissipation for Single Operation  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.96  
0.9  
0.7  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
May, 2023 − Rev. 3  
FDC6310P/D  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC6310PD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6310PD87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6312P FAIRCHILD

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FDC6312P ONSEMI

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FDC6312P_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6318 FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6318P FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET

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