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FDC6321C PDF预览

FDC6321C

更新时间： 2024-11-26 11:15:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 332K
描述
双 N 和 P 沟道，数字 FET，25V

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FDC6321C 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SUPERSOT-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：1.07
Samacsys Description：N-P channel digital MOSFET,FDC6321C 0.9W配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (ID)：0.00068 A
最大漏源导通电阻：0.45 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：9 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDC6321C 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Dual, N & P-Channel,  
Digital FET  
N−Channel  
MAX  
V
DSS  
R
I MAX  
D
DS(ON)  
25 V  
0.45 W @ 4.5 V  
P−Channel  
0.68 A  
FDC6321C  
General Description  
These dual N & P Channel logic level enhancement mode field  
effect transistors are produced using onsemi’s proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on−state resistance. This device has  
been designed especially for low voltage applications as a replacement  
for digital transistors in load switching applications. Since bias  
resistors are not required this dual digital FET can replace several  
digital transistors with different bias resistors.  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
−25 V  
1.1 W @ −4.5 V  
−0.46 A  
D2  
S1  
D1  
G2  
S2  
G1  
Features  
TSOT23 6−Lead  
SUPERSOTt−6  
CASE 419BL  
• N−Channel 0.68 A, 25 V  
R
= 0.45 W @ V = 4.5 V  
GS  
DS(ON)  
• P−Channel −0.46 A, −25 V  
= 1.1 W @ V = −4.5 V  
R
DS(ON)  
GS  
MARKING DIAGRAM  
• Very Low Level Gate Drive Requirements Allowing Direct  
Operation in 3 V Circuits. V < 1.0 V.  
GS(th)  
• Gate−Source Zener for ESD Ruggedness. >6 kV Human Body Model  
• Replace Multiple Dual NPN & PNP Digital Transistors  
• This is a Pb−Free Device  
321 MG  
G
1
321 = Specific Device Code  
M
G
= Assembly Operation Month  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
PINOUT  
4
5
6
3
2
1
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
FDC6321C  
Package  
Shipping  
3000 /  
Tape & Reel  
TSOT−23−6  
(Pb−free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
February, 2022 − Rev. 3  
FDC6321C/D  
1234567...10

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FDC6321C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDC6333C ONSEMI

类似代替

 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V
FDC6327C ONSEMI

类似代替

 双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定

与FDC6321C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC6321C_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Chann
FDC6321CD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Chann
FDC6321CD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDC6321CL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Chann
FDC6321CS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Chann
FDC6322 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6322C FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6322C_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDC6322CD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDC6322CD87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,

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