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FDC6333C

更新时间： 2024-11-26 11:13:35

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	361K
描述
N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V

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FDC6333C 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	0.95	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.96 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC6333C 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – N & P-Channel,

POWERTRENCH⁾

30 V

MAX

I MAX

DSS

DS(ON)

30 V

95 mW @ 10 V

2.5 A

150 mW @ 4.5 V

−30 V

130 mW @ −10 V −2.0 A

220 mW @ −4.5 V

FDC6333C

General Description

These N & P−Channel MOSFETs are produced using onsemi’s

advanced POWERTRENCH process that has been especially tailored

to minimize on−state resistance and yet maintain superior switching

performance.

These devices have been designed to offer exceptional power

dissipation in a very small footprint for applications where the bigger

more expensive SO−8 and TSSOP−8 packages are impractical.

Pin 1

TSOT−23−6

CASE 419BL

MARKING DIAGRAM

Features

• Q1 2.5 A, 30 V

♦ R

= 95 mW @ V = 10 V

DS(on)

333 MG

= 150 mW @ V = 4.5 V

DS(on)

• Q2 −2.0 A, −30 V

♦ R

= 130 mW @ V = −10 V

= 220 mW @ V = −4.5 V

DS(on)

333 = Specific Device Code

DS(on)

= Assembly Operation Month

= Pb−Free Package

• Low Gate Charge

(Note: Microdot may be in either location)

• High Performance Trench Technology for Extremely Low R

DS(on)

• SUPERSOTt−6 Package: Small Footprint (72% Smaller than

SO−8); Low Profile (1 mm Thick)

PINOUT

• This is a Pb−Free Device

Q2(P)

Applications

• DC−DC Converter

• Load Switch

• LCD Display Inverter

Q1(N)

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 8 of

this data sheet.

Publication Order Number:

March, 2022 − Rev. 5

FDC6333C/D

12 3 4 5 6 7...10

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FDC6333C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDC6321C	ONSEMI	类似代替	双 N 和 P 沟道，数字 FET，25V
FDC6327C	ONSEMI	类似代替	双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定

与FDC6333C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC6333C_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDC6333CD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDC633N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC633N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC633ND84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC633NL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC633NS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC634	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC634P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC634P	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-3.5A，8

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