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FDC6333CD87Z

更新时间： 2024-11-21 14:51:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 264K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6333CD87Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：2.5 A最大漏源导通电阻：0.095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC6333CD87Z 数据手册

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October 2001  
FDC6333C  
30V N & P-Channel PowerTrenchÒ MOSFETs  
General Description  
Features  
These N & P-Channel MOSFETs are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
·
·
Q1 2.5 A, 30V.  
Q2 –2.0 A, 30V.  
Low gate charge  
RDS(ON)  
=
95 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 150 mW @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 150 mW @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 220 mW @ VGS = –4.5 V  
These devices have been designed to offer  
exceptional power dissipation in a very small footprint  
for applications where the bigger more expensive  
SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.  
·
·
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
·
SuperSOT –6 package: small footprint (72% smaller than  
SO-8); low profile (1mm thick).  
·
·
·
DC/DC converter  
Load switch  
LCD display inverter  
Q2(P)  
4
5
6
3
2
1
Pin 1  
Q1(N)  
SuperSOT™-6  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Q1  
30  
Q2  
Units  
–30  
±25  
–2.0  
–8  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±16  
2.5  
8
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.96  
0.9  
PD  
W
(Note 1c)  
0.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
130  
60  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.333  
FDC6333C  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC6333C Rev C (W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC633N FAIRCHILD

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