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FDC637ANS62Z

更新时间： 2024-02-17 22:14:36

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	66K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC637ANS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	6.2 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC637ANS62Z 数据手册

November 1999

FDC637AN

Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced

using Fairchild Semiconductor's advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize on-state resistance and yet maintain low

gate charge for superior switching performance.

• 6.2 A, 20 V. R_DS(on)= 0.024 Ω @ V_GS= 4.5 V

R_DS(on)= 0.032 Ω @ V_GS= 2.5 V

• Fast switching speed.

These devices have been designed to offer exceptional

power dissipation in a very small footprint compared

with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.

• Low gate charge (10.5nC typical).

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

• SuperSOT^TM-6 package: small footprint (72% smaller

than standard SO-8); low profile (1mm thick).

• DC/DC converter

• Load switch

• Battery Protection

SuperSOT ^TM-6

Absolute Maximum Ratings ^T_A^{= 25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

FDC637AN

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

Drain Current - Pulsed

6.2

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation for Single Operation

1.6

(Note 1a)

(Note 1b)

0.8

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R_θ

(Note 1a)

(Note 1)

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R_θ

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

.637

FDC637AN

7’’

8mm

3000 units

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FDC637AN, Rev. C

12 3 4 5

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与FDC637ANS62Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC637BNZ	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET
FDC637BNZ	ROCHESTER	获取价格	6200mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6, 6 PIN
FDC637BNZ	ONSEMI	获取价格	N 沟道 PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，6.2A，24m
FDC638	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC638APZ	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET -20V, -4.5A, 43mohm
FDC638APZ	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，4
FDC638P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC638P	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，4
FDC638P_01	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET
FDC638P_NF073	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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