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FDC634PD84Z

更新时间： 2024-11-25 21:14:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 136K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC634PD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.22配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.08 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC634PD84Z 数据手册

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September 2001  
FDC634P  
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses  
Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has  
been optimized for battery power management  
applications.  
· –3.5 A, –20 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 110 mW @ VGS = –2.5 V  
· Low gate charge (7.2 nC typical)  
Applications  
· High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
· Battery management  
· Load switch  
· Battery protection  
S
D
D
1
2
3
6
5
4
G
D
TM  
D
SuperSOT -6  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
±8  
–3.5  
(Note 1a)  
–20  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
0.8  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.634  
FDC634P  
7’’  
8mm  
3000 units  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC634P Rev E (W)  
12345

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与FDC634PD84Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC634PD87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC634P-F095 FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FDC634P-G FAIRCHILD

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 		暂无描述
FDC634PL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC634PS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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 		P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC636PD87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC636PS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC637AN ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，6.2A，24m

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