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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SSOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.29 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 438551 | Samacsys Pin Count： | 6 |
| Samacsys Part Category： | Transistor | Samacsys Package Category： | SOT23 (6-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | SuperSOT-6 | Samacsys Released Date： | 2017-06-06 09:02:05 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 72 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI3433CDV-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似  |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC638P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDC638P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，4 |
|
| FDC638P_01 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET |
|
| FDC638P_NF073 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC638P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC6392S | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
|
| FDC6392S | ONSEMI |
获取价格 |
-20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管 |
|
| FDC6392S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC6392SS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC6401N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
|
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