FDC638P

更新时间： 2024-01-30 14:50:28

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
9页	241K
描述
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDC638P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.048 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDC638P 数据手册

June 1999

FDC638P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

This P -Channel 2.5V specified MOSFET is produced using

Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that

has been especially tailored to minimize the on-state resistance

and yet maintain low gate charge for superior switching

performance.

-4.5 A, -20 V. R_DS(ON)= 0.045 W @ V_GS= -4.5 V

R_DS(ON)= 0.065 W @ V_GS= -2.5 V.

Low gate charge (13nC typical).

High performance trench technology for extremely low R_DS(ON)

These devices are well suited for battery power applications: load

switching and power management, battery charging circuits, and

DC/DC conversion.

SuperSOT^TM-6 package: small footprint (72% smaller than standard

SO-8); low profile (1mm thick).

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-8

SOT-223

SOIC-16

SOT-23

SO-8

pin 1

SuperSOT ^TM-6

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise note

Symbol Parameter

Ratings

Units

Drain-Source Voltage

-20

±8

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-4.5

-20

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

P_D

0.8

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

R_{qJ A}

R_{qJ C}

(Note 1)

FDC638P Rev.D

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

FDC638P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDC658P	FAIRCHILD	类似代替	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDC602P	ONSEMI	功能相似	P 沟道 PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-5.5A，3
SI3469DV-T1-E3	VISHAY	功能相似	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与FDC638P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC638P_01	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET
FDC638P_NF073	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC638P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6392S	FAIRCHILD	获取价格	20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
FDC6392S	ONSEMI	获取价格	-20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管
FDC6392S_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6392SS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6401N	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC6401N	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，3.0A，7
FDC6401N_NBHS003	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与FDC638P相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

3
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

3
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDC638P

FDC638P 技术参数

FDC638P 数据手册

FDC638P 替代型号

与FDC638P相关器件

与FDC638P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDC638P

FDC638P 技术参数

FDC638P 数据手册

FDC638P 替代型号

与FDC638P相关器件

与FDC638P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？