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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6, 6 PIN | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 117 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC638 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDC638APZ | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET -20V, -4.5A, 43mohm |
|
| FDC638APZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，4 |
|
| FDC638P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDC638P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，4 |
|
| FDC638P_01 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET |
|
| FDC638P_NF073 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC638P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC6392S | FAIRCHILD |
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20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
|
| FDC6392S | ONSEMI |
获取价格 |
-20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管 |
|
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