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FDC6392SS62Z

更新时间： 2024-11-25 14:42:11

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	170K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6392SS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2.2 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC6392SS62Z 数据手册

February 2002

PRELIMINARY

FDC6392S

20V Integrated P-Channel PowerTrench^MOSFET and Schottky Diode

General Description

Features

MOSFET:

The FDC6392S combines the exceptional performance

of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a

very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier

in an SSOT-6 package.

• –2.2 A, –20V. R_DS(ON)= 150 mΩ @ V_GS= –4.5V

R_DS(ON)= 200 mΩ @ V_GS= –2.5V

• Low Gate Charge (3.7nC typ)

• Compact industry standard SuperSOT^-6 package

Schottky:

This device is designed specifically as a single package

solution for DC to DC converters. It features a fast

switching, low gate charge MOSFET with very low on-

state resistance.

The independently connected

Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC

converter topologies.

• V < 0.45 V @ 1 A

SuperSOT ^TM-6

Pin 1

SuperSOT™-6

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

MOSFET Drain-Source Voltage

MOSFET Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

–20

–2.2

–6

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

0.96

0.9

0.7

T_J, T_STG

V_RRM

I_O

Operating and Storage Junction Temperature Range

Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage

–55 to +150

°C

Schottky Average Forward Current

(Note 1a)

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

130

R_θJA

R_θJC

°C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

3000 units

.392

FDC6392S

7’’

8mm

FDC6392S Rev B(W)

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC6401N	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC6401N	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，3.0A，7
FDC6401N_NBHS003	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDC6401N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC6401ND84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC6401NL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC6401NS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC640P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC640P	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，5
FDC640P_01	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET

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