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FDC6420C

更新时间： 2024-09-29 11:12:15

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	306K
描述
N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V

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FDC6420C 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	15 weeks 4 days	风险等级：	0.94
Samacsys Confidence：	2	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1049730	Samacsys Pin Count：	6
Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)	Samacsys Package Category：	SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SuperSOT-6	Samacsys Released Date：	2018-03-02 17:32:43
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN (SN)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC6420C 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – N & P-Channel,

POWERTRENCH⁾

MAX

I MAX

DSS

DS(ON)

20 V

70 mW @ 4.5 V

95 mW @ 2.5 V

3.0 A

20 V

−20 V 125 mW @ −4.5 V −2.2 A

190 mW @ −2.5 V

FDC6420C

General Description

These N & P−Channel MOSFETs are produced using onsemi’s

advanced POWERTRENCH process that has been especially tailored

to minimize on−state resistance and yet maintain superior switching

performance.

Pin 1

These devices have been designed to offer exceptional power

dissipation in a very small footprint for applications where the bigger

more expensive SO−8 and TSSOP−8 packages are impractical.

TSOT23 6−Lead

(SUPERSOT−6)

CASE 419BL

Features

• Q1 3.0 A, 20 V

MARKING DIAGRAM

♦ R

= 70 mW @ V = 4.5 V

DS(on)

= 95 mW @ V = 2.5 V

DS(on)

• Q2 −2.2 A, −20 V

420 M

♦ R

= 125 mW @ V = −4.5 V

DS(on)

= 190 mW @ V = −2.5 V

DS(on)

• Low Gate Charge

420 = Device Code

= Date Code

• High Performance Trench Technology for Extremely Low R

DS(on)

• SUPERSOTt−6 Package: Small Footprint (72% Smaller than

SO−8); Low Profile (1 mm Thick)

PIN ASSIGNMENT

• This is a Pb−Free Device

Q2(P)

Applications

• DC−DC Converter

• Load Switch

• LCD Display Inverter

Q1(N)

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 8 of

this data sheet.

Publication Order Number:

June, 2022 − Rev. 3

FDC6420C/D

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC6420C_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC6420CD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC6420CD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC6420CL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC6420CS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC642P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
FDC642P	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20 V，-4.0 A
FDC642P (KDC642P)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
FDC642P_09	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET -20V, -4A, 100
FDC642P_F085	FAIRCHILD	获取价格	FDC642P P-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET

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