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FDC6420CL99Z

更新时间： 2024-11-25 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6420CL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC6420CL99Z 数据手册

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September 2001  
FDC6420C  
20V N & P-Channel PowerTrenchÒ MOSFETs  
General Description  
Features  
These N & P-Channel MOSFETs are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
·
Q1 3.0 A, 20V. RDS(ON) = 70 mW @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 95 mW @ VGS = 2.5 V  
·
Q2 –2.2 A, 20V. RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 190 mW @ VGS = –2.5 V  
These devices have been designed to offer  
exceptional power dissipation in a very small footprint  
for applications where the bigger more expensive  
SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.  
·
·
Low gate charge  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
·
SuperSOT –6 package: small footprint (72% smaller than  
SO-8); low profile (1mm thick).  
·
·
·
DC/DC converter  
Load switch  
LCD display inverter  
Q2(P)  
4
5
6
3
2
1
Pin 1  
Q1(N)  
SuperSOT™-6  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Q1  
20  
Q2  
Units  
–20  
±12  
–2.2  
–6  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±12  
3.0  
12  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.96  
0.9  
PD  
W
(Note 1c)  
0.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
130  
60  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.420  
FDC6420C  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC6420C Rev C(W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDC6420CL99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC6420CS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC642P FAIRCHILD

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 		P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
FDC642P ONSEMI

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 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20 V，-4.0 A
FDC642P (KDC642P) KEXIN

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 		P-Channel MOSFET
FDC642P_09 FAIRCHILD

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 		P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 100
FDC642P_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		FDC642P P-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET
FDC642P_NF073 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDC642P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDC642P-F085 ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-4A，100mΩ
FDC642P-F085P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-4A，100mΩ

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