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FDC640P_NL

更新时间： 2024-11-25 20:07:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 74K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SUPERSOT-6

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FDC640P_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.053 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC640P_NL 数据手册

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January 2001  
FDC640P  
P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged  
gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench  
process. It has been optimized for power management  
applications with a wide range of gate drive voltage  
(2.5V – 12V).  
• –4.5 A, –20 V  
RDS(ON) = 0.053 Ω @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = –2.5 V  
• Rugged gate rating (±12V)  
• Fast switching speed  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
• Battery management  
• Load switch  
low RDS(ON)  
• Battery protection  
S
D
D
1
2
3
6
5
4
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
±12  
–4.5  
(Note 1a)  
–20  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
0.8  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.640  
FDC640P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC640P Rev E(W)  
2001 Fairchild Semiconductor International  
12345

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与FDC640P_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC640P-NBAD004A ONSEMI

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 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，5
FDC642 FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
FDC6420 FAIRCHILD

获取价格

 		20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
FDC6420C FAIRCHILD

获取价格

 		20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
FDC6420C ONSEMI

获取价格

 		N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V
FDC6420C_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC6420CD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC6420CD87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC6420CL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC6420CS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si

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