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FDC640P

更新时间： 2024-11-24 22:49:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
8页	262K
描述
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

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FDC640P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SSOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.3
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.053 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDC640P 数据手册

August 2000

FDC640P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced in

a rugged gate version of Fairchild Semiconductor's

advanced PowerTrench process. It has been optimized

for power management applications for a wide range

of gate drive voltages.

• -4.5 A, -20 V. R_DS(ON)= 0.050 Ω @ V_GS= -4.5 V

R_DS(ON)= 0.077 Ω @ V_GS= -2.5 V

• Rugged gate rating (±12V).

• High performance trench technology for extremely

Applications

• Load switch

• Battery protection

• Power management

low R_DS(ON)

• SuperSOT^TM-6 package: small footprint (72% smaller

than standard SO-8); low profile (1mm thick).

SuperSOT ^TM-6

T_A= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

-20

Gate-Source Voltage

(Note 1a)

Drain Current - Continuous

Drain Current - Pulsed

-4.5

-20

(Note 1a)

(Note 1b)

P_D

Power Dissipation for Single Operation

1.6

0.8

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

Thermal Characteristics

θ^JA

(Note 1a)

(Note 1)

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

θ^JC

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

.640

FDC640P

7’’

8mm

3000 units

2000 Fairchild Semiconductor International

FDC640P, Rev.C

12 3 4 5 6 7 8

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FDC640P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDC640P_F095	FAIRCHILD	类似代替	Transistor
FDC602P	ONSEMI	功能相似	P 沟道 PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-5.5A，3
SI3469DV-T1-E3	VISHAY	功能相似	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与FDC640P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC640P_01	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET
FDC640P_F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDC640P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC640P-NBAD004A	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，5
FDC642	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
FDC6420	FAIRCHILD	获取价格	20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
FDC6420C	FAIRCHILD	获取价格	20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
FDC6420C	ONSEMI	获取价格	N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V
FDC6420C_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
FDC6420CD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si

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