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FDC640P_F095

更新时间： 2024-11-25 21:10:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 74K
描述
Transistor

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FDC640P_F095 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

FDC640P_F095 数据手册

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January 2001  
FDC640P  
P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged  
gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench  
process. It has been optimized for power management  
applications with a wide range of gate drive voltage  
(2.5V – 12V).  
• –4.5 A, –20 V  
RDS(ON) = 0.053 Ω @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = –2.5 V  
• Rugged gate rating (±12V)  
• Fast switching speed  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
• Battery management  
• Load switch  
low RDS(ON)  
• Battery protection  
S
D
D
1
2
3
6
5
4
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
±12  
–4.5  
(Note 1a)  
–20  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
0.8  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.640  
FDC640P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC640P Rev E(W)  
2001 Fairchild Semiconductor International  
12345

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FDC640P_F095 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDC640P FAIRCHILD

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