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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI3469DV-T1-E3
SI3469DV-T1-E3 PDF预览

SI3469DV-T1-E3

更新时间： 2024-09-29 22:40:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 98K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI3469DV-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
零件包装代码：TSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：6.8
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3469DV-T1-E3 数据手册

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Si3469DV  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D Load Switch  
− Notebook PC  
− Game Machine  
− Desktop  
0.030 @ V = −10 V  
−6.7  
−5.1  
GS  
−20  
0.051 @ V = −4.5  
V
GS  
TSOP-6  
Top View  
(4) S  
1
2
3
6
5
(3) G  
3 mm  
4
(1, 2, 5, 6) D  
2.85 mm  
Ordering Information: Si3469DV-T1—E3 (Lead Free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−20  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
−5.0  
−4.0  
−6.7  
−5.3  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
−25  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
−1.7  
2.0  
−0.95  
1.14  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
0.73  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
45  
90  
25  
62.5  
110  
30  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72676  
S-40271—Rev. A, 23-Feb-04  
www.vishay.com  
1
123456

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SI3469DV-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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