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FDC6401NS62Z

更新时间： 2024-11-26 09:08:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 76K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6401NS62Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC6401NS62Z 数据手册

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October 2001  
FDC6401N  
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This Dual N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
·
3.0 A, 20 V.  
RDS(ON) = 70 mW @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 95 mW @ VGS = 2.5 V  
·
·
Low gate charge (3.3 nC)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
·
·
·
DC/DC converter  
Battery Protection  
Power Management  
·
High power and current handling capability  
D2  
S1  
4
5
6
3
2
1
D1  
G2  
S2  
SuperSOTTM -6  
G1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
20  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±12  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
3.0  
12  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.96  
PD  
W
0.9  
(Note 1c)  
0.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
130  
60  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.401  
FDC6401N  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC6401N Rev C (W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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