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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDC637BNZ
FDC637BNZ PDF预览

FDC637BNZ

更新时间： 2024-01-07 09:16:13
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 414K
描述
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 6.2A, 24mヘ

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FDC637BNZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.35
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：117 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC637BNZ 数据手册

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September 2007  
FDC637BNZ  
tm  
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET  
20V, 6.2A, 24mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 24mΩ at VGS = 4.5V, ID = 6.2A  
„ Max rDS(on) = 32mΩ at VGS = 2.5V, ID = 5.2A  
„ Fast switching speed  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process  
that has been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for superior  
switching performance.  
„ Low gate charge (8nC typical)  
These devices have been designed to offer exceptional power  
dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8  
and TSSOP-8 packages.  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
„ SuperSOT™–6 package: small footprint (72% smaller than  
standard SO-8; low profile (1mm thick)  
„ HBM ESD protection level > 2kV typical (Note 3)  
„ Manufactured using green packaging material  
„ Halide-Free  
Applications  
„ DC - DC Conversion  
„ Load switch  
„ RoHS Compliant  
„ Battery Protection  
S
D
D
1
6
D
D
D
G
2
3
5
4
D
S
G
D
D
Pin 1  
SuperSOTTM -6  
MOSFET Maximum Ratings TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
20  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
V
V
±12  
6.2  
TA = 25°C  
(Note 1a)  
ID  
A
20  
Power Dissipation  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
PD  
W
Power Dissipation  
0.8  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
78  
°C/W  
156  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
8mm  
Quantity  
.637Z  
FDC637BNZ  
SSOT6  
7’’  
3000 units  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC637BNZ Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
123456

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FDC637BNZ 替代型号

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