5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDC637AN
FDC637AN PDF预览

FDC637AN

更新时间： 2024-09-27 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 242K
描述
Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDC637AN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.32
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：985863Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：FDC637ANSamacsys Released Date：2019-02-28 15:01:03
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A
最大漏极电流 (ID)：6.2 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC637AN 数据手册

 浏览型号FDC637AN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDC637AN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDC637AN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDC637AN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDC637AN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDC637AN的Datasheet PDF文件第7页 
November 1999  
FDC637AN  
Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize on-state resistance and yet maintain low  
gate charge for superior switching performance.  
• 6.2 A, 20 V. RDS(on) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(on) = 0.032 Ω @ VGS = 2.5 V  
• Fast switching speed.  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in a very small footprint compared  
with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.  
• Low gate charge (10.5nC typical).  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• SuperSOTTM-6 package: small footprint (72% smaller  
than standard SO-8); low profile (1mm thick).  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Battery Protection  
S
1
6
5
4
D
D
2
3
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
FDC637AN  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
V
V
A
8
±
Drain Current - Continuous  
Drain Current - Pulsed  
6.2  
20  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
1.6  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.8  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
78  
30  
Rθ  
(Note 1a)  
(Note 1)  
C/W  
C/W  
°
JA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Rθ  
°
JC  
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
.637  
FDC637AN  
7’’  
8mm  
3000 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC637AN, Rev. C  
12345678

中文翻译

下载PDF

FDC637AN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI3446ADV-T1-E3 VISHAY

功能相似

 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与FDC637AN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC637AN_NF073 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC637AN_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC637AND84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC637AND87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC637ANL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC637AN-NB5E023A ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，6.2A，24m
FDC637ANS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC637BNZ FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET
FDC637BNZ ROCHESTER

获取价格

 		6200mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6, 6 PIN
FDC637BNZ ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，6.2A，24m

与FDC637AN相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证