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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SSOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 985863 | Samacsys Pin Count： | 6 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | FDC637AN | Samacsys Released Date： | 2019-02-28 15:01:03 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI3460DDV-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似  |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI3446ADV-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC637AN_NF073 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDC637AN_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC637AND84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC637AND87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC637ANL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDC637AN-NB5E023A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，6.2A，24m |
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| FDC637ANS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDC637BNZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDC637BNZ | ROCHESTER |
获取价格 |
6200mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6, 6 PIN |
|
| FDC637BNZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，6.2A，24m |
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