是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.2 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.6 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDC637ANS62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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FDC637BNZ | FAIRCHILD |
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N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET |
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FDC637BNZ | ROCHESTER |
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6200mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6, 6 PIN |
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FDC637BNZ | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,20V,6.2A,24m |
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FDC638 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
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FDC638APZ | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET -20V, -4.5A, 43mohm |
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FDC638APZ | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-4.5A,4 |
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FDC638P | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
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FDC638P | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-4.5A,4 |
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FDC638P_01 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET |
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