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FDC634P_NL

更新时间： 2024-09-28 15:32:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	132K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SUPERSOT-6

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FDC634P_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.22
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDC634P_NL 数据手册

September 2001

FDC634P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses

Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has

been optimized for battery power management

applications.

· –3.5 A, –20 V. R_DS(ON)= 80 mW @ V_GS= –4.5 V

R_DS(ON)= 110 mW @ V_GS= –2.5 V

· Low gate charge (7.2 nC typical)

Applications

· High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

· Battery management

· Load switch

· Battery protection

SuperSOT -6

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

–20

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

±8

–3.5

(Note 1a)

–20

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

0.8

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_qJA

°C/W

R_qJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

.634

FDC634P

7’’

8mm

3000 units

Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation

FDC634P Rev E (W)

12 3 4 5

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