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FDC6306P_NL

更新时间： 2024-09-15 20:44:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6306P_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.9 A最大漏极电流 (ID)：1.9 A
最大漏源导通电阻：0.17 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC6306P_NL 数据手册

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February 1999  
FDC6306P  
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced  
using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
• -1.9 A, -20 V. RDS(on) = 0.170 Ω @ VGS = -4.5 V  
RDS(on) = 0.250Ω @ VGS = -2.5 V  
• Low gate charge (3 nC typical).  
• Fast switching speed.  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in a very small footprint for applications  
where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8  
packages are impractical.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
TM  
• SuperSOT -6 package: small footprint (72% smaller  
than standard SO-8); low profile (1mm thick).  
Applications  
• Load switch  
• Battery protection  
• Power management  
D2  
S1  
3
2
1
4
5
6
D1  
G2  
S2  
SuperSOTTM-6  
G1  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-20  
V
V
A
8
±
(Note 1a)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-1.9  
-5  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
0.96  
0.9  
W
(Note 1c)  
0.7  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
130  
60  
C/W  
C/W  
JA  
°
°
JC  
θ
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
306  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
3000 units  
FDC6306P  
7’’  
8mm  
.
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC6306P Rev. C  
12345

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