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NTUD3170NZT5G

更新时间： 2024-11-14 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 102K
描述
Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Dual N−Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT−963 Package

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NTUD3170NZT5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.52配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.22 A
最大漏极电流 (ID)：0.22 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTUD3170NZT5G 数据手册

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NTUD3170NZ  
Small Signal MOSFET  
20 V, 220 mA, Dual N−Channel, 1.0 mm x  
1.0 mm SOT−963 Package  
Features  
http://onsemi.com  
• Dual N−Channel MOSFET  
• Offers a Low R  
Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mm  
DS(ON)  
V
R
MAX  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
Package  
1.5 W @ 4.5 V  
2.0 W @ 2.5 V  
• 1.5 V Gate Voltage Rating  
20 V  
0.22 A  
• Ultra Thin Profile (< 0.5 mm) Allows It to Fit Easily into Extremely  
Thin Environments such as Portable Electronics  
• This is a Pb−Free Device  
3.0 W @ 1.8 V  
4.5 W @ 1.5 V  
Applications  
D1  
D2  
• General Purpose Interfacing Switch  
• Optimized for Power Management in Ultra Portable Equipment  
• Analog Switch  
G1  
G2  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)  
J
N−Channel  
MOSFET  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
S1  
S2  
V
DSS  
20  
8
V
V
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
PINOUT: SOT−963  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
220  
160  
280  
125  
A
Steady  
State  
T = 85°C  
A
I
mA  
D
S
G
D
1
2
3
6
5
D
1
1
t v 5 s  
T = 25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
G
2
T = 25°C  
A
P
mW  
1
D
t v 5 s  
200  
800  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
mA  
DM  
4
S
2
2
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
T
Source Current (Body Diode) (Note 2)  
I
200  
260  
mA  
Top View  
S
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
L
MARKING  
DIAGRAM  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size,  
1 oz Cu.  
3 M G  
SOT−963  
CASE 527AD  
1
2. Pulse Test: pulse width v300 ms, duty cycle v2%  
3
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
M
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
August, 2008 − Rev. 0  
NTUD3170NZ/D  
 
12345

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NTUD3170NZT5G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTUD3169CZT5G ONSEMI

类似代替

 Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA / −200 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−96
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与NTUD3170NZT5G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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