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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTGS3136PT1G
NTGS3136PT1G PDF预览

NTGS3136PT1G

更新时间： 2024-02-14 11:15:33
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 115K
描述
Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6

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NTGS3136PT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.97
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.1 A最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：0.033 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTGS3136PT1G 数据手册

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NTGS3136P  
Power MOSFET  
-20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6  
Features  
•ꢀLow R  
in TSOP-6 Package  
DS(on)  
•ꢀ1.8 V Gate Rating  
•ꢀFast Switching  
http://onsemi.com  
•ꢀThis is a Pb-Free Device  
V
R
DS(ON)  
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
Applications  
25 mW @ -4.5 V  
32 mW @ -2.5 V  
41 mW @ -1.8 V  
-5.1 A  
-4.5 A  
-2.5 A  
•ꢀOptimized for Battery and Load Management Applications in  
-20 V  
Portable Equipment  
•ꢀHigh Side Load Switch  
•ꢀSwitching Circuits for Game Consoles, Camera Phone, etc.  
P-Channel  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
1 2 5 6  
J
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
V
DSS  
-20  
$8.0  
-5.1  
-3.6  
-5.8  
1.25  
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
V
3
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
I
D
A
Steady  
State  
T = 85°C  
A
A
4
t v 5 s T = 25°C  
A
MARKING  
DIAGRAM  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
P
D
T = 25°C  
A
W
t v 5 s  
1.6  
-3.7  
-2.7  
0.7  
TSOP-6  
CASE 318G  
STYLE 1  
SD MG  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
T = 25°C  
I
D
A
A
G
1
T = 85°C  
A
Steady  
State  
1
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
D
W
T = 25°C  
A
SD  
M
G
= Device Code  
= Date Code  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
-20  
A
= Pb-Free Package  
DM  
(Note: Microdot may be in either location)  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
J
-55 to  
150  
°C  
T
STG  
PIN ASSIGNMENT  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Drain DrainSource  
4
6
5
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface-mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces)  
1
2
3
2. Surface-mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size  
(Cu area = 0.0775 in sq).  
Drain Drain Gate  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NTGS3136PT1G TSOP-6  
(Pb-Free)  
3000 / Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
August, 2007 - Rev. 0  
1
Publication Order Number:  
NTGS3136P/D  
 
12345

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NTGS3136PT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTGS3130NT1G ONSEMI

类似代替

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NTGS5120PT1G ONSEMI

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NTUD3170NZT5G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Dual N−Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT−963 Pack

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NTGS3433T1 ONSEMI

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 		Power MOSFET 1 Amp, 20 Volts

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