Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTGS3455T1G

NTGS3455T1G

更新时间： 2024-01-28 20:38:45

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
6页	57K
描述
MOSFET -3.5 Amps, -30 Volts P−Channel TSOP−6

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NTGS3455T1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	7 weeks
风险等级：	0.69	Samacsys Confidence：	2
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	294421
Samacsys Pin Count：	6	Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category：	SOT23 (6-Pin)	Samacsys Footprint Name：	TSOP-6 CASE318G-02 ISSUE P
Samacsys Released Date：	2018-02-23 12:04:41	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.75 A	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTGS3455T1G 数据手册

NTGS3455T1

MOSFET

−3.5 Amps, −30 Volts

P−Channel TSOP−6

Features

• Ultra Low R

DS(on)

http://onsemi.com

• Higher Efficiency Extending Battery Life

• Miniature TSOP−6 Surface Mount Package

TYP

I Max

(BR)DSS

DS(on)

• Pb−Free Package is Available

−30 V

100 mW @ −10 V

−3.5 A

Applications

• Power Management in Portable and Battery−Powered Products, i.e.:

Cellular and Cordless Telephones, and PCMCIA Cards

P−Channel

1 2 5 6

DRAIN

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain−to−Source Voltage

−30

Volts

DSS

GATE

Gate−to−Source Voltage − Continuous

"20.0

Thermal Resistance

Junction−to−Ambient (Note 1.)

62.5

2.0

−3.5

°C/W

Watts

Amps

Total Power Dissipation @ T = 25°C

SOURCE

Drain Current

− Continuous @ T = 25°C

MARKING

DIAGRAM

− Pulsed Drain Current (T t 10 µS)

−20

1.0

−2.5

Amps

Watts

Amps

Maximum Operating Power Dissipation

Maximum Operating Drain Current

Thermal Resistance

Junction−to−Ambient (Note 2.)

TSOP−6

CASE 318G

STYLE 1

455

128

1.0

°C/W

Watts

Total Power Dissipation @ T = 25°C

Drain Current

− Continuous @ T = 25°C

−2.5

−14

0.5

Amps

Watts

Amps

− Pulsed Drain Current (T t 10 µS)

Maximum Operating Power Dissipation

Maximum Operating Drain Current

455

= Device Code

= Date Code

−1.75

Operating and Storage Temperature Range

T , T

−55 to

150

°C

stg

PIN ASSIGNMENT

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes for 10 Seconds

260

°C

Drain Drain Source

1. Mounted onto a 2″ square FR−4 board (1″ sq. 2 oz. cu. 0.06″ thick single

sided), t t 5.0 seconds.

2. Mounted onto a 2″ square FR−4 board (1″ sq. 2 oz. cu. 0.06″ thick single

sided), operating to steady state.

Drain Drain Gate

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

NTGS3455T1

TSOP−6

3000 Tape & Reel

TSOP−6

(Pb−Free)

NTGS3455T1G

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

January, 2004 − Rev. 1

NTGS3455T1/D

12 3 4 5 6

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NTGS3455T1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTGS4111PT1G	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)
NTGS3455T1	ONSEMI	类似代替	MOSFET -3.5 Amps, -30 Volts P−Channel TSOP−6
ZXMP3A17E6TA	DIODES	功能相似	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

与NTGS3455T1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTGS3A033PZT1G	ONSEMI	获取价格	P 沟道，功率 MOSFET，-20V，-5.9A，33mΩ
NTGS4111P	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)
NTGS4111PT1	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)
NTGS4111PT1G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)
NTGS4111PT2G	ONSEMI	获取价格	单 P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-4.7A，60mΩ
NTGS4141N	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6
NTGS4141NT1	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6
NTGS4141NT1G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6
NTGS5120P	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET −60 V, −2.9 A, Single P−Channel, TSOP−6
NTGS5120PT1G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET −60 V, −2.9 A, Single P−Channel, TSOP−6

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