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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTGS4111PT2G
NTGS4111PT2G PDF预览

NTGS4111PT2G

更新时间： 2024-11-26 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 72K
描述
单 P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-4.7A，60mΩ

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NTGS4111PT2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, 318G-02, TSOP-6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTGS4111PT2G 数据手册

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NTGS4111P  
Power MOSFET  
−30 V, −4.7 A, Single P−Channel, TSOP−6  
Features  
• Leading −30 V Trench Process for Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Low Profile Package Suitable for Portable Applications  
• Surface Mount TSOP−6 Package Saves Board Space  
• Improved Efficiency for Battery Applications  
• Pb−Free Package is Available  
I
MAX  
V
R
TYP  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
38 mW @ −10 V  
68 mW @ −4.5 V  
−30 V  
−4.7 A  
Applications  
• Battery Management and Switching  
• Load Switching  
• Battery Protection  
P−Channel  
1 2 5 6  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
3
V
−30  
20  
DSS  
V
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady  
State  
I
A
T = 25°C  
−3.7  
−2.7  
−4.7  
1.25  
D
A
4
T = 85°C  
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
t ≤ 5 s T = 25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
Steady  
State  
D
Drain Drain Source  
6
5
4
t ≤ 5 s  
2.0  
1
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady  
State  
I
A
T = 25°C  
−2.6  
−1.9  
0.63  
D
A
TG M G  
G
T = 85°C  
A
TSOP−6  
CASE 318G  
STYLE 1  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
W
D
1
2
3
Drain Drain Gate  
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
−15  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
TG  
M
= Specific Device Code  
= Date Code*  
T
STG  
G
= Pb−Free Package  
Source Current (Body Diode)  
I
−1.7  
260  
A
S
(Note: Microdot may be in either location)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
°C  
L
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
100  
62.5  
200  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
°C/W  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t ≤ 5 s (Note 1)  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 2)  
R
q
q
q
JA  
JA  
JA  
†
R
R
Device  
Package  
Shipping  
NTGS4111PT1  
TSOP−6 3000 / Tape & Reel  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size  
(Cu area = 0.006 in sq).  
NTGS4111PT1G TSOP−6 3000 / Tape& Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
April, 2006 − Rev. 2  
NTGS4111P/D  
 
12345

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NTGS4111PT2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTGS4111PT1G ONSEMI

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