5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTGS4141NT1G
NTGS4141NT1G PDF预览

NTGS4141NT1G

更新时间： 2024-11-21 10:30:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTGS4141NT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.98
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTGS4141NT1G 数据手册

 浏览型号NTGS4141NT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTGS4141NT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTGS4141NT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTGS4141NT1G的Datasheet PDF文件第5页 
NTGS4141N  
Power MOSFET  
30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• Low Gate Charge  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Package is Available  
Applications  
I
MAX  
V
R
DS(on)  
TYP  
D
(BR)DSS  
• Load Switch  
• Notebook PC  
• Desktop PC  
21.5 mW @ 10 V  
30 mW @ 4.5 V  
30 V  
7.0 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
N−Channel  
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol Value  
30  
20  
Unit  
V
Drain 1 2 5 6  
V
DSS  
V
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady  
State  
I
A
T = 25°C  
5.0  
3.6  
7.0  
1.0  
D
A
T = 85°C  
A
Gate 3  
t ≤ 10 s T = 25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
Steady  
State  
D
Source  
4
t ≤ 10 s  
2.0  
3.5  
2.5  
0.5  
MARKING  
DIAGRAM  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady  
State  
I
A
T = 25°C  
D
A
TSOP−6  
CASE 318G  
STYLE 1  
T = 85°C  
A
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
W
D
S4 MG  
1
G
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
21  
A
DM  
S4  
M
G
= Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
T
(Note: Microdot may be in either location)  
Source Current (Body Diode)  
I
2.0  
54  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
EAS  
mJ  
PIN ASSIGNMENT  
(V = 30 V, I = 10.4 A, V = 10 V,  
DD  
L
GS  
L = 1.0 mH, R = 25 W)  
G
Drain Drain Source  
6
5
4
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
125  
62.5  
248  
Unit  
1
2
3
°C/W  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t ≤ 10 s (Note 1)  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 2)  
R
θ
JA  
R
θ
JA  
R
θ
JA  
Drain Drain Gate  
ORDERING INFORMATION  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 inch sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
†
Device  
Package  
Shipping  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size  
(Cu area = 0.0773 in sq).  
NTGS4141NT1  
TSOP−6  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
TSOP−6  
(Pb−Free)  
NTGS4141NT1G  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 1  
NTGS4141N/D  
 
12345

中文翻译

下载PDF

NTGS4141NT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMN40LN,135 NXP

功能相似

 PMN40LN - N-channel TrenchMOS logic level FET TSOP 6-Pin
FDC653N FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI3442BDV-T1-E3 VISHAY

功能相似

 N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

与NTGS4141NT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTGS5120P ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −60 V, −2.9 A, Single P−Channel, TSOP−6
NTGS5120PT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −60 V, −2.9 A, Single P−Channel, TSOP−6
NTH CANDD

获取价格

 		Isolated 2W Dual Output SM DC-DC Converters
NTH+1.8V ETC

获取价格

 		Oscillators | JESD8-7 CMOS
NTH+3.3V ETC

获取价格

 		Oscillators | HCMOS
NTH+5V ETC

获取价格

 		Oscillators | HCMOS/TTL Comp
NTH+H+3.3V ETC

获取价格

 		Oscillators | HCMOS
NTH+H+5V ETC

获取价格

 		Oscillators | HCMOS
NTH027N65S3F-F155 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，75
NTH030A-0.5000 PERICOM

获取价格

 		Oscillator,

与NTGS4141NT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证